Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (01.2009) : МОДИФИКАЦИЯ СТРУКТУРЫ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ФЕМТОСЕКУНДНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

МОДИФИКАЦИЯ СТРУКТУРЫ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ФЕМТОСЕКУНДНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

 

© 2009 г. М. А. Лесик; А. В. Аверина; А. А. Шимко; А. А. Маньшина, канд. физ.-мат. наук

 

Научно-исследовательский институт лазерных исследований Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург

 

E-mail: rita-lesik@yandex.ru

 

В работе исследовались структурные изменения, индуцированные лазерным излучением с длиной волны λ = 800 нм, длительностью импульса τ = 100 фс и частотой повторения f = 80 МГц в объемных образцах стеклообразных полупроводников. В результате работы были созданы волноводные структуры в стеклах As2 S3  и 0,15(Ga2 S3 )-0,85(GeS2 ):Er3+ (C(Er3+) = 1,2 ат%) при различных условиях лазерного воздействия (способ записи, скорость и количество сканирований). Структурные изменения, индуцированные фемтосекундным лазерным излучением, в образце стекла As 2 S 3  были исследованы методом комбинационного рассеяния.

 

УДК 535.212

Коды OCIS: 160.4760, 190.4180.

 

Поступила в редакцию 04.10.2008.

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Povolotskiy A., Shimko A., Manshina A. 2D and 3D laser writing for integrated optical elements creation // Proceedings of WFOPC2005, Mondello (Palermo), Italy, 2005. P. 196-202.

2. Cheng Ya, Sugioka K., Midorikawa K. Microfabrication of 3D hollow structures embedded in glass by femtosecond laser for Lab-on-a-chip applications // Applied Surface Science. 2005. № 248. P. 172-176.

3. Коломиец Б.Т., Горюнова Н.А. Полупроводниковые свойства халькогенидных стекол // ЖТФ. 1955. Т. 25. № 6. C. 984-994.

 

Полный текст  >>>>

 

Structural modification of glassy chalcogenide semiconductors under the action of femtosecond laser radiation

M. A. Lesik, A. V. Averina, A. A. Shimko, and A. A. Man'shina

This paper discusses the structural changes induced by laser radiation with wavelength λ=800nm, pulse width τ=100fs, and repetition rate f=80MHz in bulk samples of glassy semiconductors. As a result of this work, waveguide structures were created in As2S3 and 0.15(Ga2S3)-0.85(GeS2):Er3+[C(Er3+)=1.2at%] glasses under various conditions of laser action (the recording method, the speed and number of scans). The structural changes induced by femtosecond laser radiation in a sample of As2S3 glass were investigated by Raman scattering.